供应扩散炉

扩散炉 
 

所属行业：
 半导体工艺设备
 
产品内容： 产品应用：应用于集成电路、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池等领域，适用2~8英寸工艺尺寸 

产品特点： 
◆主机为水平一至四管炉系统构架，独立完成不同的工艺或相同工艺 
◆工业计算机控制系统，对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制 
◆采用悬臂送片器：操作方便、无摩擦污染等 
◆关键部件均采用进口，确保设备的高**性 
◆工艺管路采用进口阀门管件组成-气密性好、耐腐蚀、无污染（管路均采用EP级电抛光管路），流量控制采用质量流量计（MFC）进口 
◆控温精度高，温区控温稳定性好； 
◆具有断电报警、**温报警、极限**温报警等多种安全保护功能 
◆高质量的加热炉体，确保恒温区的高稳定性及**命 

主要技术指标 
1、工艺说明 
1.1氧化：干氧工艺，湿氧工艺（去离子水、氢氧合成-内/外点火） 
1.2扩散：硼扩、磷扩（液态源、固态源等） 
1.3合金、退火等工艺 

2、系统组成：主机（加热体、石英/SiC管、功率组件等)、自动送片（悬臂-SiC）净化工作台、气路气源系统（气源柜）、计算机控系统等组成 

3、控制方式：手动送片/自动送片 

4、配置（可选）：
4.1仪表控制/计算机控制 
4.2工艺管（水平结构）：1-4管 
4.3工艺规格：2~6英寸晶圆或125mm×125mm、156mm×156mm太阳能电池片（工艺腔体为石英或碳化硅） 
4.4恒温区长度：1100mm/800mm/600mm/450mm
4.5晶圆装载：悬臂式，刚玉/碳化硅杆，碳化硅桨 
4.6工作台：有净化/无净化 
4.7工艺气路：对应的工艺气路，气路阀门组件采用国际****产品（如SWAGELOK、PARK、SANDVIK、CARDINAL等等），MFC国际**（如MKS、UNIT、STEC等）或国产** 

5、主要技术参数： 
5.1工作温度：200～1300℃
5.2加热体控制点：3/5点
5.3炉体恒温区：450mm/600mm/800mm/1100mm 
5.4恒温区精度：＞800℃/±0.5℃ ，＜800℃/±1℃
5.5单点温度稳定性：600～1300℃/ ±0.5℃/24h
5.6较大可控升温速度：15℃/min
5.7较大降温速度：5℃/min（900～1300℃）
5.8供电：三相四线，380VAC/50HZ

6、 结构尺寸：
6.1 结构：水平扩散炉 
垂直扩散炉 
6.2尺寸结构如图（参考）